ICチップの製造に使われる半導体でできた薄い基板。シリコン製のものが多く、これを特に「シリコンウェハ」と呼ぶ。
ウェハは、原料の物質をインゴットと呼ばれる直径120mmから200mm程度の円柱状に結晶成長させ、0.5mmから1.5mm程度に薄くスライスして作製した円盤で、直径5インチ(125mm)、8インチ(200mm)、12インチ(300mm)のものがよく使われる。
ICチップはウェハ上に回路パターンを焼き付けて製造される。通常、1枚のウェハには同じチップの回路パターンが基盤の目状にいくつも並べられ、基光やエッチングなどの処理が行なわれる。最後に長方形に切り出されたものがCチップとなる。インゴットは太さ数mm、長さ20cm程度の種結品と呼ばれる中心部から徐々に溶継された原料をもとに結晶を成長させ、ウェハの直径と同じ太さで長さ数10cmから1m程度の柱状の単結晶として得られる。
原料にはシリコン(Si)、ゲルマニウム(Ge)、ガリウムヒ素(GaAs)などが用いられるが、最も広く用いられているのはシリコンで、薬度99.999999999％(イレブンナイン)という超高英度の多結品シリコンを精製、使用している。